例如，你可能首先读取了页面的开头，之后你希望跳过一些数据，直接读取页面中的其他位置上的数据。使用Change Read Column操作可以在不重新读取整个页面的情况下实现这一点。

假设你已经发送了一个标准的页面读取命令并且设备已经准备好发送数据。Change Read Column的操作通常包括以下步骤：

1. 发送Change Read Column命令。
2. 发送新列地址的低位字节（通常是A0-A7），如果有必要，还需发送高位字节（A8-A11或更多，具体取决于NAND Flash的列地址宽度）。
3. 等待设备准备好新的列地址数据。
4. 开始读取数据。

请注意，NAND Flash的具体命令和操作步骤可能因制造商和模型而异，因此需要参考相关芯片的数据手册。

以下是一个伪代码示例，说明如何实现Change Read Column操作（这里的命令是自定义的，真实命令需要查看你的NAND Flash数据手册）：

void change_read_column(int column_address) {
    // 发送'Change Read Column'命令到NAND Flash
    send_nand_command(CHANGE_READ_COLUMN_COMMAND);

    // 发送新列地址的低位字节
    send_nand_address((column_address) & 0xFF);

    // 如果列地址大于一个字节，则发送高位字节
    if (COLUMN_ADDRESS_WIDTH > 8) {
        send_nand_address((column_address >> 8) & 0xFF);
    }

    // 如果需要，可能还有额外的地址周期
    // ...

    // 等待设备准备好数据
    wait_for_device_ready();

    // 从新的列地址开始读取数据
    read_data_from_nand();
}

// 调用'change_read_column'函数跳转到新列地址进行读取
change_read_column(new_column_address);

实际使用中，这些命令和函数(send_nand_command, send_nand_address, wait_for_device_ready, read_data_from_nand)需要根据控制器具体接口和NAND Flash芯片的规格实现。